(Sn1-x,Co2x)O2纳米粒子的制备及气敏性能研究

• 作者: 刘海峰 孙红娟 彭同江 樊亮
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SnO2 气敏 掺杂 均匀共沉淀法
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1756-1760
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.92
• 字数: 3622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.10.048

摘要

采用分析纯SnCl4·5H2O和NH3·H2O为主要原料,控制不同Co2+/Sn4+摩尔比,利用均匀共沉淀法制备了(Sn1-x,Co2x)O2纳米粉体样品,并以白云母为基片利用厚膜工艺制得气敏元件.对样品的结构、结晶性能和活性等分析发现,Co2+以类质同像的方式代替了SnO2晶格中的Sn4+,并引起了M-O键长、晶胞参数和M-O八面体电价平衡的非均一性,进而提高了粉体活性及n型半导体性能.在不同浓度H2中元件气敏性能测试表明,Co2+的引入提高了SnO2的H2灵敏度.元件的灵敏度与H2浓度之间具有较好的线性关系.实验得到了制备(Sn1-x,Co2x)O2气敏材料的最佳Co2+/Sn4+摩尔比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘海峰	西南科技大学矿物材料与应用研究所	32	224	8.0	14.0
2	彭同江	西南科技大学矿物材料与应用研究所	252	2575	22.0	36.0
3	孙红娟	西南科技大学矿物材料与应用研究所	175	1799	18.0	33.0
4	樊亮	西南科技大学矿物材料与应用研究所	6	34	3.0	5.0