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摘要:
运用循环伏安法(CV)考察了甘草苷在悬汞电极(HMDE)上的电化学还原行为, 在-0.7~-1.7 V (vs. SCE)电位窗口及0.10 mol/L (NH4)2SO4溶液中甘草苷在HMDE上的循环伏安行为是一在低扫描速度(<100 mV/s)下受吸附控制, 在高扫描速度下受扩散控制的不可逆还原过程, 还原峰电位(Epc)为-1.491 V. 运用计时库仑法(CC)、 计时电流法(CA)测定并计算了甘草苷的电荷传递系数α、扩散系数D以及表观速率常数Kf等电极过程动力学参数. 初步探讨了甘草苷在HMDE上的反应机理, 同时运用方波伏安法(SWV)研究了甘草苷在HMDE上的方波伏安行为, 还原峰电流与其浓度在1.2×10-6~1.2×10-5 mol/L及1.2×10-5~1.2×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系, 相关系数R=0.9936及0.9966, 检出限8.0×10-7 mol/L, 据此可建立直接电化学测定甘草苷含量的方法.
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文献信息
篇名 甘草苷在悬汞电极上的电化学行为及方法研究
来源期刊 分析试验室 学科 化学
关键词 甘草苷 悬汞电极 电化学行为 电分析方法
年,卷(期) 2008,(7) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 5-8
页数 4页 分类号 O657.1
字数 2836字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0720.2008.07.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高作宁 宁夏大学能源化工重点实验室宁夏大学化学化工学院 100 438 11.0 14.0
2 犹卫 宁夏大学能源化工重点实验室宁夏大学化学化工学院 30 89 5.0 7.0
3 郑志祥 宁夏大学能源化工重点实验室宁夏大学化学化工学院 8 48 4.0 6.0
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