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低损耗193 nm增透膜
低损耗193 nm增透膜
作者:
尚淑珍
范正修
邵建达
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
193nm
增透膜
光学损耗
剩余反射率
摘要:
计算了适用于193nm增透膜设计与制备的基底与薄膜材料的光学常数,并在此基础上对193nm增透膜进行了设计、制备与性能分析.发现基底材料的吸收损耗对增透膜元件的影响很大,超过一定值时,增透膜元件的设计透过率将达不到理想水平.对单面增透膜的设计与制备结果表明,当吸收损耗降低到一定程度,散射损耗成为不可忽略的因素.采用热舟蒸发方法实现了性能良好的193 nm减反射膜,剩余反射率在0.2%以下.
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文献信息
篇名
低损耗193 nm增透膜
来源期刊
物理学报
学科
物理学
关键词
193nm
增透膜
光学损耗
剩余反射率
年,卷(期)
2008,(3)
所属期刊栏目
物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向
页码范围
1946-1950
页数
5页
分类号
O4
字数
2563字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.109
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邵建达
中国科学院上海光学精密机械研究所
212
2131
21.0
29.0
2
尚淑珍
华东理工大学机械与动力工程学院承压系统安全科学教育部重点实验室
19
135
8.0
11.0
3
范正修
中国科学院上海光学精密机械研究所
203
2312
23.0
32.0
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研究主题发展历程
节点文献
193nm
增透膜
光学损耗
剩余反射率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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