高频正弦波电流下IGBT能带结构和开关特性分析

• 作者: 吴俊娟 孙孝峰 邬伟扬 金晓毅
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 能带理论 零电流开关 开关动态特性 功率半导体器件 电压过冲 串联谐振
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 101-106
• 页数: 6页
• 分类号: TM77
• 字数: 4127字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-8013.2008.12.017

摘要

基于能带理论--载流子浓度分布与电极距离函数的宏观体现,该文提出了一种IGBT在高频正弦波电流及零电流开关条件下开关动态特性的分析方法.首先介绍了功率器件在实际电路中的工作条件,其次提出了IGBT的能带结构图,并通过对独立元件、稳态及暂态时的能带图的分析比较,得出开关动态特性,并给出开关时刻的电压电流初值及能带图;实验结果也验证了IGBT在高频正弦波电流下零电流开关的开关特性;根据这个特性,文章采用随谐振电流大小微调开关频率的方法,来实现功率管电压过冲的完全抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邬伟扬	燕山大学电气工程学院	98	2751	24.0	51.0
2	金晓毅	燕山大学电气工程学院	6	65	5.0	6.0
3	孙孝峰	燕山大学电气工程学院	80	458	12.0	19.0
4	吴俊娟	燕山大学电气工程学院	15	184	7.0	13.0