p-GaN表面制备低阻欧姆接触电极的几个关键问题

• 作者: 李鸿渐 石瑛 蒋昌忠
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: p-GaN 欧姆接触 表面处理 退火 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 6-8,11
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.01.002

摘要

优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昌忠	武汉大学物理科学与技术学院	43	191	9.0	11.0
2	石瑛	武汉大学物理科学与技术学院	16	128	7.0	11.0
3	李鸿渐	武汉大学物理科学与技术学院	5	61	2.0	5.0