Si/SiO2超晶格晶化特性影响因素分析

• 作者: 寿莎 黄仕华
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiO2超晶格 纳米Si 退火
• 年，卷（期）: 2008,（Z2）
• 所属期刊栏目: 纳米薄膜材料
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: TQ12
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.Z2.017

摘要

Si/SiO2超晶格是近年发展起来的一种新的Si基纳米结构,有着广阔的应用前景.该材料结构是通过选择合适的镀膜技术(如热反应蒸发、分子束外延),在衬底表面交替形成Si/SiO2纳米薄膜,对该结构热处理后形成Si/SiO2纳米结构.衬底温度、衬底材料、沉积薄膜厚度、应用的退火过程等均会影响超晶格中纳米Si的形成.具体分析了上述因素对形成纳米Si的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄仕华	浙江师范大学物理系	35	96	5.0	8.0
2	寿莎	浙江师范大学初阳学院	6	38	3.0	6.0