制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响

• 作者: 尹立峰 崔岩 张长瑞 徐晓燕 王思青
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 氮化硅涂层 沉积速率
• 年，卷（期）: 2008,（z1）
• 所属期刊栏目: 结构功能材料
• 页码范围: 415-417
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.z1.126

摘要

采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势.在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	30	357	10.0	18.0
2	王思青	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	7	45	3.0	6.0
3	尹立峰	国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	崔岩		1	2	1.0	1.0
5	徐晓燕		1	2	1.0	1.0