退火对Y2O3薄膜结构和电学性能的影响

• 作者: 刘正堂 阎锋 霍会宾
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: Y2O3薄膜 退火 漏电流 界面层
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 123-125,138
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.07.033

摘要

采用射频磁控反应溅射法,成功地在n-Si衬底上制备了高k栅介质Y2O3薄膜.对薄膜在不同温度退火后的结构、成分和电学性能进行了分析研究.结果表明,沉积态薄膜为非晶态,退火后薄膜开始晶化;沉积态薄膜中Y和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比;薄膜具有较低的漏电流,退火后薄膜的漏电流降低.高频C-V曲线表明,退火后由于界面层的生长导致积聚电容减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0
2	霍会宾	西北工业大学材料学院	1	4	1.0	1.0
3	阎锋	西北工业大学材料学院	1	4	1.0	1.0