Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

• 作者: 何开华 郑广 郭建云 陈敬中
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN晶体 电子结构 光学性质 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3740-3746
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.072

摘要

基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al, Mg掺杂的闪锌矿型GaN的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后GaN体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg的GaN晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al掺杂GaN晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敬中	中国地质大学材料科学与化学工程学院	48	555	13.0	22.0
2	何开华	中国地质大学数学与物理学院	18	131	6.0	11.0
6	郑广	中国地质大学数学与物理学院	7	60	4.0	7.0
10	郭建云	中国地质大学材料科学与化学工程学院	1	27	1.0	1.0