基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的Bi4-xNdxTi3O12(x=0~1.0)陶瓷.采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能.研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒均匀.不同Nd掺杂量并未引起物相结构的改变,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构.适量的Nd掺入会提升Bi4-xTi3O12陶瓷样品的铁电性能.
推荐文章
Bi4Ti3O12掺杂BST陶瓷性能和结构的研究
电容器陶瓷
钛酸锶钡
Bi4Ti3O12掺杂
介电性能
Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备及研究进展
Bi4Ti3O12铁电薄膜
研究进展
掺杂
退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究
铁电薄膜
Bi4Ti3O12
微观结构
退火温度
退火温度对Bi4Ti3O12-Bi3TiNbO9复合薄膜铁电性能的影响
Bi4Ti3O12-Bi3TiNbO9(BIT-BNT)
薄膜
铁电性能
退火温度
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 Nd掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的结构与性能研究
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 Bi4Ti3O12 铁电陶瓷 固相合成 掺杂
年,卷(期) 2008,(z1) 所属期刊栏目 光、电磁功能材料
研究方向 页码范围 335-337
页数 3页 分类号 TB3
字数 2007字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2008.z1.102
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张树人 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 187 1176 16.0 24.0
2 吴孟强 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 56 505 13.0 21.0
3 樊峻棋 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (14)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1967(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1968(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1989(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1992(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1999(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2005(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2007(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Bi4Ti3O12
铁电陶瓷
固相合成
掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
论文1v1指导