表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响

• 作者: 吴迪 李一博 沈光地 郭霞 顾晓玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 极化 二维空穴气 隧穿概率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1220-1223
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2672字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.096

摘要

通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20 mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	吴迪	北京工业大学北京市光电子技术实验室	19	109	6.0	9.0
3	郭霞	北京工业大学北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
4	顾晓玲	北京工业大学北京市光电子技术实验室	12	126	7.0	11.0
5	李一博	北京工业大学北京市光电子技术实验室	2	5	1.0	2.0