原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
介绍一种能与DSP速度相匹配的外扩高速存储器的设计,外扩存储器按地址分为2个模块:一个是SRAM模块,另外一个是FLASH模块,一个作为数据存储器,另一个作为地址存储器.采用IS61LV25616作为SRAM,这种存储芯片的存取时间快且功耗低,非常适合与高速的DSP 配合使用;FLASH采用的是三星公司生产的存储器K9F1G08.各个模块从元器件的选择、硬件实现方面介绍了存储器的实现过程.在FLASH模块中还介绍了K9F1G08写操作流程,并简单描述了DSP的在线编程方法.该系统在现场实时采集系统中发挥了重要的作用,给后续数据的分析提供了宝贵的数据材料.
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文献信息
篇名 基于DSP的高速外扩存储器的设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 SRAM 外扩存储器 FLASH 高速 DSP
年,卷(期) 2008,(24) 所属期刊栏目 集成微系统
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 TN707
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.24.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫晓燕 1 16 1.0 1.0
2 张洪亮 1 16 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM
外扩存储器
FLASH 高速
DSP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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