电化学制备薄黑硅抗反射膜

• 作者: 刘光友 姚金才 熊祖洪 王振 谭兴文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 折射率 抗反射膜 黑硅
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 514-518
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.082

摘要

采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品.这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%.且整个薄膜厚度不足1μm.利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振	西南大学物理科学与技术学院	12	55	3.0	7.0
2	熊祖洪	西南大学物理科学与技术学院	60	93	5.0	9.0
3	谭兴文	西南大学物理科学与技术学院	18	128	5.0	11.0
4	刘光友	西南大学物理科学与技术学院	3	40	2.0	3.0
5	姚金才	西南大学物理科学与技术学院	1	33	1.0	1.0