低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

• 作者: 崔灿 杨德仁 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉硅 氧沉淀 退火
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1037-1042
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.065

摘要

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中,低温(450-650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强,促进了氧沉淀核心的形成,且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明,低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺,能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力,减少热预算,但不适用于魔幻洁净区(MDZ)工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	崔灿	浙江理工大学物理系	7	136	4.0	7.0