氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究

• 作者: 孙威立 师勉恭 廖雪花 张静 朱洲森 杨朝文 王培禄 王虎 缪竞威 缪蕾 袁学东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 团簇离子注入 硅单晶 纳米晶结构
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 2174-2178
• 页数: 5页
• 分类号: O56
• 字数: 3619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.029

摘要

氮团簇离子N+10注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构,导致光学性质发生显著变化.在250-320 nm波段的紫外光激励下,在330-500 nm光区出现明显的光发射带,并在360 nm附近产生强度极高、单色性良好的发射峰,其强度达到N+注入试样或基底的5倍,是N+2注入试样的1.5倍.在可见光区的730 nm附近和近红外区的830 nm附近也出现发光带.所有上述发光都非常稳定,可长时间保持其发光效率不变.这表明注入层已形成一种品质优良的光致发光材料.