沉积速率和生长停顿对InAs/GaAs量子点超晶格生长影响的综合分析

• 作者: 俞重远 刘玉敏 宋禹忻
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 动力学蒙特卡罗模拟 量子点超晶格 外延生长
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2399-2403
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.065

摘要

采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs量子点超晶格生长早期阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究,发现综合控制沉积速率和生长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列.这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	36	223	10.0	13.0
5	俞重远	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	49	260	10.0	12.0
9	宋禹忻	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0