高纯锗中浅受主的光热电离光谱

• 作者: 余丽波 余晨辉 张波 李亚军 沈学础 陆卫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1097-1101
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.075

摘要

在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	209	2133	20.0	38.0
2	李亚军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	12	24	3.0	4.0
3	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
4	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所	17	41	3.0	6.0
5	余丽波	西南技术物理研究所光电器件部	3	0	0.0	0.0
6	余晨辉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	0	0.0	0.0