AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

• 作者: 张进城 张金凤 王欣娟 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaN/GaN异质结 肖特基结 理想因
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3171-3175
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.087

摘要

通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算.通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值鯾.通过分析温度在300-550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论:AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体技术重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学宽禁带半导体技术重点实验室	52	301	9.0	14.0
3	张金凤	西安电子科技大学宽禁带半导体技术重点实验室	16	87	7.0	8.0
4	王欣娟	西安电子科技大学宽禁带半导体技术重点实验室	2	14	2.0	2.0