a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

• 作者: 刁宏伟 周春兰 李海玲 王文静 赵雷
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜硅 背场 硅异质结太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3212-3218
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.094

摘要

采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙1.6eV,硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料,其最佳厚度在5nm左右.这种背场从工艺上易于实现,并且,与常用的Al扩散背场相比,在相同的掺杂浓度下,电池效率可以大大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周春兰	中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室	19	245	8.0	15.0
2	赵雷	中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室	25	210	9.0	14.0
3	王文静	中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室	32	266	8.0	16.0
4	李海玲	中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室	12	163	6.0	12.0
5	刁宏伟	中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室	16	222	8.0	14.0