非晶态半导体的阈值开关机理

• 作者: 刘丽敏 齐吉泰
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 非晶态 阈值开关 电导率 半导体
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 184-185
• 页数: 2页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.04.064

摘要

从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理.利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐吉泰		9	9	2.0	2.0