实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(下)

• 作者: 崔卫群 张元敏 方波
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率MOSFET 开关现象 开关特性 密勒效应 开关损耗
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 145-148,151
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.05.051

摘要

从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析.从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的MOSFET驱动电路具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张元敏	许昌学院电信学院	78	465	12.0	18.0
2	方波	许昌学院电信学院	25	177	8.0	12.0
3	崔卫群		2	15	1.0	2.0