H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

• 作者: 尚泽仁 张丽平 张亚萍 张建军 张鑫 耿新华 胡增鑫 赵颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 微晶硅锗薄膜 光发射光谱 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 7338-7343
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.104

摘要

采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.