氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

• 作者: 兰伟 刘雪芹 苏庆 马海林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 氧流量 纳米结构 Ga2O3
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7322-7326
• 页数: 5页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.101

摘要

用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性.X射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3.扫描电子显微镜测试表明:在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80-156nm.PL的测试表明: β-Ga2O3纳米结构在波长516nm处有很强的绿色发光带, 且随着氧流量的逐渐增加发光强度逐渐减弱.在氧气氛中900℃退火2h处理后, 发光强度减弱, 进一步证实氧空位缺陷是β-Ga2O3纳米材料发光的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雪芹	兰州大学物理科学与技术学院	19	195	8.0	13.0
2	兰伟	兰州大学物理科学与技术学院	15	168	6.0	12.0
3	苏庆	兰州大学物理科学与技术学院	12	33	3.0	5.0
4	马海林	兰州大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0