非故意掺杂GaN薄膜方块电阻与载气中N2比例关系研究

• 作者: 任凡 孙长征 席光义 李洪涛 江洋 汪莱 罗毅 赵维 郝智彪 韩彦军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘GaN薄膜 载气 金属有机气相外延 位错
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7233-7237
• 页数: 5页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.086

摘要

利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233 nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比例的增加,GaN材料中螺型位错相关缺陷密度无明显变化,而刃型位错相关缺陷密度明显增加.结果表明,刃型位错的受主补偿作用是导致GaN薄膜方块电阻变化的主要原因.