高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

• 作者: 侯磊 刘峥 徐鸣 施卫 王馨梅
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电半导体开关 高增益 锁定效应
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7185-7189
• 页数: 5页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.077

摘要

设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500 V时用脉宽8 ns、能量3 mJ的1064 nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2 ns,下降沿为54.6 ns,脉宽为148.4 ns,第一个波峰高885 V,第二个波峰高897 V.随着外加偏置电压的提高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间均略有减小,双峰峰值均明显增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	王馨梅	西安理工大学应用物理系	24	130	7.0	10.0
3	侯磊	西安理工大学应用物理系	6	42	4.0	6.0
4	徐鸣	西安理工大学应用物理系	5	48	4.0	5.0
5	刘峥	西安理工大学应用物理系	2	17	2.0	2.0