纳米碳管阵列场发射电流密度的理论数值优化

• 作者: 李良 王新庆 葛洪良 褚宁杰 金红晓
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米碳管 场发射 增强因子 电流密度
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7173-7177
• 页数: 5页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.075

摘要

以纳米碳管阵列为研究对象,利用镜像悬浮球模型及Fowler-Nordheim电流密度公式,对纳米碳管阵列的场发射电流密度进行计算,进而综合考虑场发射增强因子及场发射电流密度对纳米碳管阵列场发射性能进行定量优化.参考碳管阵列场发射电流密度最大值及场发射增强因子,表明当纳米碳管阵列间距为碳管高度十分之一时,纳米碳管阵列的场发射性能得到优化.与以前的理论估算结果相比,优化的阵列间距进一步减小.当纳米碳管间距过大,场发射增强因子增加,而场发射电流密度会在更大程度上减小;当纳米碳管密度较大时,场发射增强因子受到静电屏蔽的影响而急剧下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛洪良	中国计量学院材料科学与工程学院浙江省磁学重点实验室	89	343	10.0	14.0
2	王新庆	中国计量学院材料科学与工程学院浙江省磁学重点实验室	17	73	5.0	8.0
3	李良	中国计量学院材料科学与工程学院浙江省磁学重点实验室	3	20	2.0	3.0
4	褚宁杰	中国计量学院材料科学与工程学院浙江省磁学重点实验室	3	20	2.0	3.0
5	金红晓	中国计量学院材料科学与工程学院浙江省磁学重点实验室	8	35	3.0	5.0