p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究

• 作者: 丁瑞雪 宋久旭 杨银堂 武军 石立春 蔡玉荣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 p型 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7151-7156
• 页数: 6页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.071

摘要

基于密度泛函理论,利用局域密度近似的第一性原理平面波赝势方法,对掺K以及含有氢填隙(Hi)、氧空位(VO)、锌填隙(Zni)和锌空位(VZn)的K:ZnO电子结构分别进行了研究.结果表明,1) 单独掺K可引入浅受主,但系统总能增高;2) K与H共掺可降低系统总能,提升稳定性;3) VO在K+H:ZnO中的形成比Zni困难得多,二者都是负电中心,起补偿受主作用;4) VZn在价带顶0.5 eV左右形成浅受主,有利于晶体p型导电.最后提出:由于形成了KZn-O-Hi-O-VZn结构,可能导致K:ZnO呈现p型导电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	丁瑞雪	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	8	61	5.0	7.0
3	蔡玉荣	浙江理工大学材料纺织学院	40	122	7.0	10.0
4	宋久旭	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	47	4.0	5.0
5	武军	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	18	2.0	2.0