单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响

• 作者: 徐慧 李明君 欧阳方平 王焕友 肖金
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨纳米带 单空位缺陷 电子结构 输运性质
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7132-7138
• 页数: 7页
• 分类号: TN3|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.068

摘要

基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐慧	中南大学物理科学与技术学院	100	517	10.0	17.0
2	王焕友	中南大学物理科学与技术学院	10	84	6.0	9.0
6	李明君	中南大学物理科学与技术学院	6	47	4.0	6.0
7	欧阳方平	中南大学物理科学与技术学院	11	84	6.0	9.0
8	肖金	中南大学物理科学与技术学院	5	39	4.0	5.0