低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

• 作者: 奚光平 宫龙飞 曾俞衡 杨德仁 田达晰 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 重掺砷直拉硅片 氧沉淀形核 低温退火
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7108-7113
• 页数: 6页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.064

摘要

通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450-800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	曾俞衡	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	11	2.0	3.0
4	田达晰	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	31	3.0	5.0
6	奚光平	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	6	1.0	1.0
9	宫龙飞		1	6	1.0	1.0