一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计

• 作者: 张昌璇 解光军
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电压基准 亚阈值区 低压低功耗 MOS管
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 156-158
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.01.056

摘要

提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40～+120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4～5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解光军	合肥工业大学微电子与固体电子学院	101	626	13.0	20.0
2	张昌璇	合肥工业大学微电子与固体电子学院	2	4	2.0	2.0