ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究

• 作者: 乔双双 张威 曹璐 李梦轲 杨志 魏强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO纳米线 场效应管 I-V特性
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5887-5892
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.086

摘要

采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30-200μm,直径80-750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梦轲	辽宁师范大学物理与电子技术学院	20	105	6.0	10.0
2	张威	辽宁师范大学物理与电子技术学院	69	601	14.0	21.0
3	杨志	兰州大学化学系	4	36	3.0	4.0
4	魏强	辽宁师范大学物理与电子技术学院	3	19	3.0	3.0
5	曹璐	辽宁师范大学物理与电子技术学院	3	19	3.0	3.0
6	乔双双	大连理工大学物理与光电工程学院	1	9	1.0	1.0