低功耗CMOS电压基准源的设计

• 作者: 姚若河 李文冠 郭丽芳
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电压基准源 低功耗 CMOS POLY
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.12.010

摘要

给出一低功耗、低温度系数的电压基准源电路的设计.其特点是利用工作在弱反型区晶体管的特性,该电压基准源采用CSMC 0.5μm,两层POLY,一层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.036 75 mm2.测试结果表明:其最大工作电流不超过380 nA;在2.5～6 V工作电压下,线性调整率为0.025%;4 V输入电压;20～100℃范围内,平均温度系数为64 ppm/℃.以更小的面积,更低的功耗实现了电压基准源的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学物理科学与技术学院	126	611	11.0	18.0
2	李文冠	华南理工大学物理科学与技术学院	3	10	2.0	3.0
3	郭丽芳	华南理工大学物理科学与技术学院	2	10	2.0	2.0