脉冲激光沉积法制备的Ni1-xFexO稀磁半导体的结构和磁性研究

• 作者: 姚涛 孙治湖 张国斌 徐彭寿 王峰 翁卫祥 郭玉献 闫文盛 韦世强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ni1-xFexO xANES 脉冲激光沉积方法
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 5788-5792
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.069

摘要

利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-1-xFexO(x=0.02,O.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni,1-xFexO的品体结构为Nacl结构,并且在Fe含量较高的Ni095Fe0.05O中出现了少量的a-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANFS)和X射线光电子能谱(XPs)进一步表明了掺杂的Fe原子替代Ni0日格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.