甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

• 作者: 卢景霄 张庆丰 文书堂 申陈海 郑文 郭学军 陈庆东 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 微晶硅薄膜 高速沉积 甚高频化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 6002-6006
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.106

摘要

采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图.以0.75 nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	张庆丰	郑州大学材料物理教育部重点实验室	8	40	5.0	6.0
4	郭学军	郑州大学材料物理教育部重点实验室	9	41	5.0	6.0
5	文书堂	郑州大学材料物理教育部重点实验室	8	21	3.0	4.0
6	郑文	郑州大学材料物理教育部重点实验室	4	19	2.0	4.0
7	申陈海	郑州大学材料物理教育部重点实验室	4	22	3.0	4.0