6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

• 作者: 李佳 李连碧 李青民 林涛 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 碳化硅 化学气相沉积 反相边界 岛状生长
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 6007-6012
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.107

摘要

采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100-1250℃),不同GeH4流量比(6.3%-25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%-O.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
3	李佳	西安理工大学电子工程系	18	45	5.0	6.0
4	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
5	李连碧	西安理工大学电子工程系	9	19	3.0	3.0
6	李青民	西安理工大学电子工程系	4	7	1.0	2.0