掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

• 作者: 唐为华 彭志坚 符秀丽
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化锌 掺杂 复合陶瓷变阻器 电学性质
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5844-5852
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.079

摘要

根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符秀丽	北京邮电大学理学院	3	15	2.0	3.0
2	唐为华	浙江理上大学光电材料与器件中心	1	4	1.0	1.0