第一性原理研究应变Si/(111Si1-xGex能带结构

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变硅 能带结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5918-5922
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.091

摘要

基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111)Sil1-xGex(x=0.1-0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电于有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎小变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化.此外,给出的禁带宽度与x的拟合关系同KP理论计算的结果一致,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院	36	204	9.0	12.0
5	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院	22	172	8.0	12.0