基于ADS的X波段低噪声放大器的设计与仿真

• 作者: 刘喜明
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 噪声系数 S参数 低噪声放大器 ADS 匹配网络
• 年，卷（期）: 2008,（19）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 51-53
• 页数: 3页
• 分类号: TN95
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.19.017

摘要

主要介绍了低噪声放大器的设计理论及用Agilent公司的ADS仿真软件进行X渡段低噪声放大器的设计和仿真.在设计的过程中选择了NEC公司的HEMT管NE3210S01,HEMT管与FET相比较,其噪声系数更低,增益和工作频率更高.进行阻抗匹配采用的拓扑结构是并联导纳式结构,即利用串联微带传输线进行导纳变换,然后并联一个微带分支线,微带线的终端开路(或短路),用其输入导纳作为补偿电纳,以达到电路匹配.最后给出了仿真结果、版图设计及实测结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘喜明		1	8	1.0	1.0