60Coγ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响

• 作者: 何亮 包军林 庄奕琪 张莹 李群伟 杜磊 杨丽侠 赵志刚 陈晓东
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 肖特基二极管 1/f噪声 60Coγ射线 界面态
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5869-5874
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.083

摘要

在肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.