激发态之间的电离与复合过程对类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响

• 作者: 乔秀梅 张国平 郑无敌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: X射线激光 矩阵分块法 类氖锗 双电子激发态
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 5639-5645
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.09.046

摘要

考察了激发态之间的电离与复合过程对等离子体状态的影响,并对其原因进行了细致的分析,分别考察了对1.0 ns,loo ps和5 ps激光驱动的类氖锗19.6 nm X射线激光增益系数的影响.研究表明,对于5 ps激光驱动的瞬态机理X射线激光来讲,因增益区处在高密度区,所以,激发态之间的电离与复合过程对X射线激光将不可以忽略.对于1.0 ns和loo ps激光驱动的亚稳态机理x射线激光来讲,在电子密度小于等于5×l0cm-3的区域,忽略激发态之间的电离与复合使增益的时间半高全宽延长了～10%,峰值增益的空间半高全宽分别增加了～13%和～-23%,相对于增益的维持时间(半高全宽),峰值增益出现的时间分别延迟了～1.4%和一6.9%.差异并不十分显著,因此矩阵分块法可以对亚稳态机理X射线激光进行粗略地、规律性地研究,但是准确地模拟还是不能忽略激发态之间的电离与复合过程,且如果关心等离子体电离的全过程,则激发态之间的电离与复合过程不能忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑无敌		34	60	5.0	6.0
2	张国平		17	34	4.0	5.0
3	乔秀梅		6	8	2.0	2.0