硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

• 作者: 张化宇 朱嘉琦 朱振业 檀满林 韩杰才
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 四面体非晶碳 电导率 I-V曲线 C-V曲线
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6551-6556
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.077

摘要

以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10-7 S/cm和0.1 ev.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩杰才	哈尔滨工业大学深圳研究生院	298	4663	35.0	52.0
5	朱嘉琦	哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所	48	177	7.0	10.0
6	檀满林	哈尔滨工业大学深圳研究生院	6	30	4.0	5.0
7	张化宇	哈尔滨工业大学深圳研究生院	15	87	5.0	9.0
8	朱振业	哈尔滨工业大学深圳研究生院	5	25	2.0	5.0