半圆形容器等离子体源离子注入过程中离子动力学的两维PIC计算机模拟

• 作者: 刘天伟 刘成森 王德真 王艳辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体源离子注入 鞘层 两维panicle-in-cell方法 离子运动轨迹
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 6450-6456
• 页数: 7页
• 分类号: O53
• 字数: 3865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.061

摘要

利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律.详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律.研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王艳辉	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	17	155	6.0	12.0
2	刘天伟	中国工程物理研究院表面物理与化学国家重点实验室	18	58	4.0	6.0
3	王德真	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室	44	399	13.0	18.0
4	刘成森	辽宁师范大学物理与电子技术学院	13	27	3.0	5.0