N型4H-SiC同质外延生长

• 作者: 张义门 张玉明 王悦湖 贾仁需
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 同质外延生长 水平热壁CVD 均匀性
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 6649-6653
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.094

摘要

利用水平式低压热壁CVD(LP-HW-CVD)生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiCSi(0001晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5 μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%,1.99%和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	10	20	2.0	4.0
4	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0