(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

• 作者: 刘舒 张振中 张立功 申德振 郑著宏 金华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: (CdZnTe ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱 激子 隧穿 抽运-探测
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6627-6630
• 页数: 4页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.090

摘要

设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5 ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立功	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	19	71	5.0	7.0
2	申德振	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	28	102	6.0	8.0
3	张振中	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	10	103	4.0	10.0
4	金华	中国人民公安大学安全防范系	45	154	6.0	11.0
5	刘舒	中国人民公安大学安全防范系	24	212	8.0	14.0
6	郑著宏	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	14	42	3.0	6.0