镱铒共掺Al2O3薄膜上转换机理及其温度特性

• 作者: 丁建华 张丽 明成国 李成仁 李淑凤 王宝成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 镱铒共掺Al2O3薄膜 中频磁控溅射 上转换 荧光强度比
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6604-6608
• 页数: 5页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.086

摘要

采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜,铒镱掺杂浓度分别为0.3%,3.6%(摩尔分数,全文同).讨论了三价铒离子529 nm和549 nm光致发光的上转换机理.在291.8-573.3 K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性,拟合表达式为R=5.37exp(-738/T).366 K温度时灵敏度最大,为0.0039 K-1.结果表明镱铒共掺Al2O3薄膜适合作为小型、高温和高灵敏的光学温度传感材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽	辽宁师范大学物理与电子技术学院	97	413	10.0	17.0
2	李成仁	辽宁师范大学物理与电子技术学院	46	279	9.0	13.0
3	丁建华	大连理工大学物理与光电工程学院	27	177	8.0	12.0
4	李淑凤	大连理工大学物理与光电工程学院	36	296	11.0	15.0
5	明成国	辽宁师范大学物理与电子技术学院	5	19	3.0	4.0
6	王宝成	辽宁师范大学物理与电子技术学院	4	18	2.0	4.0