Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究

• 作者: 何苗 周天明 章勇 范广涵 赵德刚 邢海英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Mn掺杂GaN 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6513-6519
• 页数: 7页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.071

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	42	214	9.0	12.0
3	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0
4	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
5	何苗	华南师范大学光电子材料与技术研究所	8	55	4.0	7.0
6	邢海英	华南师范大学光电子材料与技术研究所	7	51	4.0	7.0