磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究

• 作者: 宁兆元 朱丽 江美福 王振宁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 射频磁控溅射 Zn2GeO4 荧光体
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 6507-6512
• 页数: 6页
• 分类号: O6|O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.10.070

摘要

用射频控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500-600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2+的发光中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院	70	528	12.0	18.0
2	江美福	苏州大学物理科学与技术学院	17	144	7.0	11.0
3	朱丽	苏州大学物理科学与技术学院	13	71	6.0	8.0
4	王振宁	苏州大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0