4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型

• 作者: 任学峰 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 4H-SiC 射频功率MESFET I-V特性 解析模型
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 新型电子材料
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.10.009

摘要

提出一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析,在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果与实测的I-V特性较为吻合.在器件设计初期,可以有效地预测器件的工作状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	任学峰		2	2	1.0	1.0
3	贾护军		2	2	1.0	1.0