PbTe/PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应

• 作者: 吴惠桢 徐天宁 隋成华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Ⅳ-Ⅵ族半导体 非对称量子阱 Rashba效应 自旋-轨道耦合分裂
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7865-7871
• 页数: 7页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.12.073

摘要

窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-ySryTe/PbTe/Pb1-xSrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0 nm时高达2.2 meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	浙江大学物理系	37	219	9.0	12.0
2	徐天宁	浙江大学物理系	18	56	5.0	5.0
4	隋成华	浙江工业大学之江学院理学系	107	561	12.0	19.0