硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究

• 作者: 方文卿 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: InGaAlN 发光二极管 垂直结构 电致发光
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7860-7864
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.12.072

摘要

测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧姆接触层反光能力的强弱.芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显,芯片侧边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部	24	177	7.0	12.0